使用離子束切割是一項(xiàng)適用于切割硬的，軟的，多孔的，熱敏感的，脆的和/或非均質(zhì)多相復(fù)合型材料，獲得高質(zhì)量切割截面，以適宜于掃描電子顯微鏡（SEM）微區(qū)分析（能譜分析EDS，波譜分析WDS，俄歇分析Auger，背散射電子衍射分析EBSD）和原子力顯微鏡（AFM）分析。

　　這一技術(shù)幾乎是*一個(gè)適用于任何材質(zhì)樣品，獲得高質(zhì)量切割截面的解決方法。使用該技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行處理，樣品受到形變或損傷的可能性zui低，可暴露出樣品內(nèi)部真實(shí)的結(jié)構(gòu)信息。

　　在技術(shù)上超越了傳統(tǒng)的離子束拋光切割設(shè)備。它使用三離子束，并可裝配冷凍樣品臺(tái)和三樣品臺(tái)，可以高速率離子束轟擊樣品，得到寬且深的切割區(qū)域，獲得一個(gè)高質(zhì)量的平整的切割截面，幾乎適用于任何材料，整個(gè)樣品處理過(guò)程快速簡(jiǎn)便。

　　三離子束部件垂直于樣品側(cè)表面，因此在進(jìn)行離子束轟擊時(shí)樣品（固定在樣品托上）不需要做擺動(dòng)運(yùn)動(dòng)以減少投影/遮擋效應(yīng)，這又保證有效的熱傳導(dǎo)，減少樣品在處理過(guò)程中受熱變形。

　　三離子束切割儀的技術(shù)

　　三離子束匯聚于擋板邊緣的中點(diǎn)，形成一個(gè)100°轟擊扇面，切向暴露于擋板上方的樣品（樣品上端高出擋板約20-100um），直到轟擊到達(dá)樣品內(nèi)部目標(biāo)區(qū)域。新型設(shè)計(jì)的離子槍可產(chǎn)生的離子束研磨速率達(dá)到300um/h(Si10kV，3.0mA，50um切割高度)。*的三離子束系統(tǒng)，可獲得優(yōu)異的高質(zhì)量切割截面，并且速率高，切割面寬且深，這可大大節(jié)約工作時(shí)間。通過(guò)這一*技術(shù)可獲得高質(zhì)量切割截面，區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1mm使用。在使用時(shí)，每一把離子槍可以單獨(dú)控制和開(kāi)關(guān)。這便于操作者根據(jù)應(yīng)用需要設(shè)置不同的離子槍參數(shù)，如做襯度增強(qiáng)作用（離子束刻蝕）或溫和地離子束轟擊。